IPP045N10N3GXKSA1 Hakkında

MOSFET IPP045N10N3G N-Ch 100V 100A (Tc) TO-220-3 Tube Infineon
* Ürün görseli tanıtım amaçlı verilmektedir. Birebir ürünle farklılık gösterebilir.
Araçlar
  • Ürün Fiyatı
  • Ürün Özellikleri
Ürün Özellikleri Listesi
Ürün Özellikleri Özellik İçeriği
Manufacturer Infineon Technologies
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8410pF @ 50V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Filtrele

Toplam Stok : 0 Adet Teklif Al