IPW60R099CP Hakkında

MOSFET IPW60R099CP N-Ch 650V 31A (Tc) TO-247-3 Tube Infineon
* Ürün görseli tanıtım amaçlı verilmektedir. Birebir ürünle farklılık gösterebilir.
Araçlar
  • Ürün Fiyatı
  • Ürün Özellikleri
Ürün Özellikleri Listesi
Ürün Özellikleri Özellik İçeriği
Manufacturer Infineon Technologies
Part Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Power Dissipation (Max) 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 100V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Supplier Device Package PG-TO247-3
Filtrele