IXTK210P10T Hakkında

MOSFET IXTK210P10T P-CH 100V 210A TO-264 Tube IXYS
* Ürün görseli tanıtım amaçlı verilmektedir. Birebir ürünle farklılık gösterebilir.
Araçlar
  • Ürün Fiyatı
  • Ürün Özellikleri
Ürün Özellikleri Listesi
Ürün Özellikleri Özellik İçeriği
Manufacturer IXYS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type P-Channel
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 210A
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 740nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 69pF @ 25V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Packaging Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Filtrele
Ürünü Paylaş

Toplam Stok : 0 Adet Teklif Al