SI4559ADY-T1-E3 Hakkında

MOSFET SI4559ADY N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC T&R Vishay
* Ürün görseli tanıtım amaçlı verilmektedir. Birebir ürünle farklılık gösterebilir.
Araçlar
  • Ürün Fiyatı
  • Ürün Özellikleri
Ürün Özellikleri Listesi
Ürün Özellikleri Özellik İçeriği
Manufacturer Vishay Siliconix
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A, 3.9A
Power - Max 3.1W, 3.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging Tape & Reel (TR)
Filtrele