Transistör ilk icat edildiğinde bir masayı kaplayacak büyüklükteydi. Moore yasasının kullanılması ile her geçen gün küçüldü ve günümüzde 5 Nm boyutlara kadar indi. Bu da çok küçük bir alanda binlerce transistörün bulunması anlamına geliyordu. IBM her zamanki gibi sıradanlıktan kurtulup 4 yapraklı nano istifler sayesinde 5 Nm boyutta 30 milyar transistörü bir araya getirmek için hummalı bir çalışma yürüttü.

Bu esnada Samsung ve GlobalFoundries de boş durmadı tabi, IBM’e destek olarak 7 Nm’ye kadar ulaştırdılar. 7 Nm boyutta 20 milyar transistörü bir araya getiren üçlü son yaptığı çalışma ile 5 Nm boyuta 30 Milyar transistör sığdırmayı başardı.

Tırnak ucu kadar bir alana 30 milyar transistör sığdırmayı başaran bu şirketler grubu bilgisayar ve dijital elektronik dünyasına yeni bir boyut kazandırdı. Eskiyen Finfet teknolojisini bir kenara bırakıp 4 yapraklı nano istifler sayesinde 4 kapı boyunca sinyal yollayabilen bilim adamları Ekstrem UV litografi kullanarak, silikon plaka üzerine daha yüksek enerjili dalga boyuna sahip şablonlar işleyebiliyor, çip üzerine daha ince detaylar işleyerek, mevcut litografi işlemlerinden farklı olarak çiplerin performans ve gücünü belirleyebiliyor ve böylece % 40 daha fazla performans elde ederken % 75 daha fazla güç tasarrufu yapıyor. Araştırma ekibi 7 Nm transistörlerin 2019 gibi piyasaya sürüleceğini belirtiyor. 5 Nm için ise 4 yıl beklememiz gerekecek.

https://www.megasan.com/tr/discrete-semiconductor-products adresinden transistör ürünlerimize ulaşabilirsiniz.