SI2319DS-T1-E3 Hakkında

Picture of MOSFET SI2319DS P-Ch 40V 2.3A (Ta) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T&R Vishay
* Picture is displayed for introductory purpose. There might be differences with the original product
Araçlar
  • Ürün Fiyatı
  • Ürün Özellikleri
Ürün Özellikleri Listesi
Product Features Özellik İçeriği
Manufacturer Vishay Siliconix
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 20V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Filter

Total Stock : 00 Quantity

Quantity

  • * 25 pieces and multiples
  • * Minimum order quantity 25 pieces

Total: $0.00

pieces were calculated


Stock: 00 Quantity

Price: $0

Same day + free shipment *

  • Aynı gün kargo stok ürünler için geçerlidir.
  • Ücretsiz kargo sepet tutarı KDV hariç 45 Usd ve üstü için geçerlidir.